Вестник УлГТУ
Горлов М.И., Сергеев В.А. Влияние электромагнитного излучения на электрические характеристики полупроводниковых изделий
Cite. Gorlov M.I., Sergeev V.A. The effect of electromagnetic radiation on the electrical characteristics of semiconductor products. Bulletin of Ulyanovsk State Technical University. 105(1), 32-40 (2024)
Abstract. The mechanisms of the influence of electromagnetic radiation on various semiconductor products (SPs) are considered: germanium and silicon transistors and silicon integrated circuits. The possibilities of predicting the resistance of SPs to the action of EMR are discussed. A method for comparative evaluation of the reliability of batches of SPs is proposed, based on the measurement and comparison of electrical informative parameters on identical samples from a batch of SPs before and immediately after exposure to highfrequency electromagnetic radiation.
Keywords: electromagnetic radiation, semiconductor products, transistor, integrated circuit, mechanisms of influence.
Цитата. Горлов, М.И. Влияние электромагнитного излучения на электрические характеристики полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, В.А. Сергеев // Вестник Ульяновского государственного технического университета. 2024. №1 С. 32‒40
Аннотация. Рассмотрены механизмы влияния электромагнитного излучения (ЭМИ) на различные полупроводниковые изделия (ППИ): германиевые и кремниевые транзисторы и кремниевые интегральные схемы. Обсуждаются возможности прогнозирования стойкости ППИ к действию ЭМИ. Предложен способ сравнительной оценки по надежности партий ППИ, основанный на измерении и сравнении электрических информативных параметров на одинаковых выборках из партии ППИ до и сразу после воздействия высокочастотным электромагнитным излучением.
Ключевые слова: электромагнитное излучение, полупроводниковые изделия, транзистор, интегральная схема, механизмы влияния.
DOI: 10.61527/1684-7016-2024-1-32-40