Разработки ученых УлГТУ внедрены в радиоэлектронную промышленность
11 августа 2022 г.
Базовая кафедра «Радиотехника, опто- и наноэлектронка» Ульяновского государственного технического университета совместно с Ульяновским филиалом института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук работает над внедрением эффективных средств диагностического контроля электронных компонентов.
За последние годы учеными разработаны не имеющие аналогов в России и за рубежом приборы для измерения теплоэлектрических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных микросхем различных классов. Они применяются на промышленных предприятиях в сфере радиоэлектроники.
«Нами разработан и изготавливается по заказам предприятий измеритель теплового сопротивления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Подобных приборов в России не производится. По функциональным возможностям и техническим характеристикам он не уступает зарубежному аналогу T3Ster, но на порядок дешевле. Различные модификации измерителя внедрены и используются на предприятиях электронной промышленности Воронежа, Зеленограда, Санкт-Петербурга, Ульяновска, Краснознаменска, Брянска, Бреста», - рассказал заведующий кафедрой «Радиотехника, опто- и наноэлектроника», профессор Вячеслав Сергеев.
Прибор используется для контроля тепловых параметров полупроводниковых изделий, которые являются критически важными для обеспечения надежности работы радиоэлектронной аппаратуры. Для каждого вида и класса полупроводниковых приборов разработана своя модификация.
«Одна из первых версий измерителя - измеритель теплового импеданса светодиодов в 2013 году был продан немецкому предприятию. Данная версия используется там и в настоящее время», - добавил Вячеслав Сергеев.
Кроме этого, специалистами и аспирантами базовой кафедры и учеными УФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН разработана гамма методов и средств измерения тепловых параметров полупроводниковых изделий различных классов. Создан оригинальный неразрушающий метод и экспериментальная установка для определения напряжения шнурования тока в мощных биполярных ВЧ и СВЧ транзисторах, а также оригинальный метод и аппаратно-программный комплекс для измерения переходных тепловых характеристик цифровых интегральных микросхем по времени задержки распространения сигнала. Во всех этих разработках активное участие принимают студенты радиотехнического факультета, проходящие специализацию на базовой кафедре.
«Нами разработан и изготавливается по заказам предприятий измеритель теплового сопротивления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Подобных приборов в России не производится. По функциональным возможностям и техническим характеристикам он не уступает зарубежному аналогу T3Ster, но на порядок дешевле. Различные модификации измерителя внедрены и используются на предприятиях электронной промышленности Воронежа, Зеленограда, Санкт-Петербурга, Ульяновска, Краснознаменска, Брянска, Бреста», - рассказал заведующий кафедрой «Радиотехника, опто- и наноэлектроника», профессор Вячеслав Сергеев.
Прибор используется для контроля тепловых параметров полупроводниковых изделий, которые являются критически важными для обеспечения надежности работы радиоэлектронной аппаратуры. Для каждого вида и класса полупроводниковых приборов разработана своя модификация.
«Одна из первых версий измерителя - измеритель теплового импеданса светодиодов в 2013 году был продан немецкому предприятию. Данная версия используется там и в настоящее время», - добавил Вячеслав Сергеев.
Кроме этого, специалистами и аспирантами базовой кафедры и учеными УФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН разработана гамма методов и средств измерения тепловых параметров полупроводниковых изделий различных классов. Создан оригинальный неразрушающий метод и экспериментальная установка для определения напряжения шнурования тока в мощных биполярных ВЧ и СВЧ транзисторах, а также оригинальный метод и аппаратно-программный комплекс для измерения переходных тепловых характеристик цифровых интегральных микросхем по времени задержки распространения сигнала. Во всех этих разработках активное участие принимают студенты радиотехнического факультета, проходящие специализацию на базовой кафедре.